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近日,manbetx万博manbetx万博活动资料科学与工程学院袁国亮教授课题组在柔性通明阻变存储器研讨方面取得突破性希望,相干研讨成果“Flexible, Semitransparent, and Inorganic Resistive Memory based on BaTi0.95Co0.05O3 Film”于20174月发表在《Advanced Materials》(DOI: 10.1002/adma.201700425)。该期刊最新发布的影响因子为18.960。课题组研讨生杨玉玺为第一作者,袁国亮教授为通信作者。

BaTiO3等氧化物资料存在优异的压电、介电和多铁机能,被宽泛使用在多层陶瓷电容器中。包孕手机等在内的无线通信设施都离不开BaTiO3。然而大标准 ABO3 型氧化物资料在柔性电子器件中的使用面临一些亟待解决的难题:ABO3型氧化物资料的弹性应变小,单晶和陶瓷十分坚挺且容易断裂。而目前绝大部分薄膜均成长在SiSrTiO3SiO2等硬质基片上,若举行大幅度蜿蜒,基片会发生断裂。


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蜿蜒状态下的阻变机能相干目标


柔性电子器件和可穿戴设施的发达成长带动了对氧化物薄膜和器件柔性的伟大需要。BaTiO3基薄膜自身等于机能优胜的阻变资料,为了取得柔性蜿蜒和半通明的氧化物阻变存储器,袁国亮教授采纳云母(mica)基片制备了mica/SrRuO3/BaTi0.95Co0.05O3/Au阻变存储单位(Y. X. Yang, G. L. Yuan* et al., Adv. Mater. 2017, DOI: 10.1002/adma.201700425)。鉴于云母是耐高温、抗氧化的二维资料,厚度为100纳米的云母基片的蜿蜒半径可达0.1毫米如下。实行表白,制备的样品存在优胜的综合阻变性子:高/低电阻比例超过50倍、信息读写次数超过36万次、可以 呐喊在室温至180度环境下正常工作、经由500度退火后器件仍能规复如初等等。更首要的是,该样品存在优胜的抗蜿蜒机能和半通明的特性,在1.4毫米蜿蜒半径下样品可以 呐喊坚持与原始平坦样品统一的阻变性子,在3毫米半径下蜿蜒1万次之后样品毫发无损,阻变性子也不较着转变。

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